[发明专利]陶瓷体上硅衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201710940454.0 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107731731B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李瑾;冒薇;王丰梅;杨静;赵书平 | 申请（专利权）人： | 苏州研材微纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 南京思拓知识产权代理事务所(普通合伙) 32288 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 215121 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制备方法，尤其是一种陶瓷体上硅衬底的制备方法，属于陶瓷体上硅的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述陶瓷体上硅衬底的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、提供所需的第一硅衬底以及第二硅衬底，并对所述第一硅衬底、第二硅衬底进行所述清洗；步骤2、在第一硅衬底上均匀涂覆陶瓷埋材层，所述陶瓷埋材层包括聚硅氮烷；步骤3、将第二硅衬底键合在上述第一硅衬底上，第二硅衬底通过陶瓷埋材层与第一硅衬底间隔；步骤4、对上述陶瓷埋材层进行陶瓷化工艺，以得到位于第一硅衬底与第二硅衬底之间的陶瓷体绝缘埋层。本发明能有效制备得到陶瓷体上硅衬底，工艺步骤简单，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 体上硅 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种陶瓷体上硅衬底的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、提供所需的第一硅衬底(1)以及第二硅衬底(3)，并对所述第一硅衬底(1)、第二硅衬底(3)进行所述清洗；步骤2、在第一硅衬底(1)上均匀涂覆陶瓷埋材层(2)，所述陶瓷埋材层(2)包括聚硅氮烷；步骤3、将第二硅衬底(3)键合在上述第一硅衬底(1)上，第二硅衬底(3)通过陶瓷埋材层(2)与第一硅衬底(1)间隔；步骤4、对上述陶瓷埋材层(2)进行陶瓷化工艺，以得到位于第一硅衬底(1)与第二硅衬底(3)之间的陶瓷体绝缘埋层(4)。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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