[发明专利]接触孔及其制造方法在审
| 申请号： | 201710903978.2 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107706234A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 黄璇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/739;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔，包括形成于硅衬底表面的层间膜，在层间膜中形成有层间膜被去除后形成的接触孔的开口。在接触孔的开口的侧面形成有金属钨侧墙，在接触孔的开口的底部的硅衬底表面形成有金属黏附层。在接触中的开口中填充有金属铝并组成接触孔。本发明还公开了一种接触孔的制造方法。本发明能提高接触孔的金属的填充性以及消除接触孔的金属和衬底硅互溶，提高产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔，其特征在于，包括：形成于硅衬底表面的层间膜，在所述层间膜中形成有所述层间膜被去除后形成的接触孔的开口；在所述接触孔的开口的侧面形成有金属钨侧墙，在所述接触孔的开口的底部的所述硅衬底表面形成有金属黏附层；在所述接触中的开口中填充有金属铝并组成所述接触孔。
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