[发明专利]发光二极管芯片级封装结构及直下式背光模块有效

专利信息
申请号: 201710903754.1 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN107919431B 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 苏信纶;黄哲瑄;张书修;林志豪;蔡宗良 申请(专利权)人: 隆达电子股份有限公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;G02F1/13357
代理公司: 11105 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陈小雯<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;TW
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摘要: 发明公开一种发光二极管芯片级封装结构及直下式背光模块。发光二极管芯片级封装结构包括一发光二极管芯片、一扩散结构以及一透镜。扩散结构覆盖发光二极管芯片,透镜覆盖扩散结构。透镜的一外表面为自由曲面,且透镜的材质与扩散结构的材质为不同。
搜索关键词: 扩散结构 发光二极管芯片 透镜 封装结构 覆盖发光二极管芯片 直下式背光模块 透镜覆盖 自由曲面
【主权项】:
1.一种发光二极管芯片级封装结构,包括:/n发光二极管芯片;/n波长转换层,设置于该发光二极管芯片上且直接接触该发光二极管芯片,该波长转换层包括荧光粉;/n扩散结构,覆盖该发光二极管芯片和该波长转换层;以及/n透镜,覆盖该扩散结构,其中该透镜的一外表面为自由曲面,且该透镜的材质与该扩散结构的材质为不同,其中该扩散结构的高度相对于宽度的比例为1:2~5:4;/n其中该透镜的该外表面的剖面的一曲线符合多项式:/n /n对应该发光二极管芯片的该曲线的一中心点为y-z座标轴的原点,z为该曲线的纵轴变数,y为该曲线的横轴变数,ai为第i项次的系数,3<n≤6,其中该扩散结构包括胶体以及多个第一扩散粒子,该些第一扩散粒子掺杂在该胶体中,该些第一扩散粒子包括聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、氧化钛、氧化硅、氧化铝、氧化锆或上述的组合,该些第一扩散粒子的粒径为50nm以下,其中,该透镜具有一第一折射率,该扩散结构具有一第二折射率,该第二折射率大于该第一折射率,其中该第二折射率和该第一折射率之差值为0.2以上,其中该曲线符合多项式:z=-0.0005y6-0.0059y5+0.0871y4-0.3718y3+0.5658y2-0.0709y+2.5046,该曲线拟合该多项式后的相关系数大于0.995。/n
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