[发明专利]一种多种产品晶圆缺陷的分析方法有效
| 申请号： | 201710882830.5 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107689335B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 杜丽;杨林;曹兴旺 | 申请（专利权）人： | 华润微电子(重庆)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多种产品晶圆缺陷的分析方法，应用晶圆缺陷分析，其特征在于，具体包括以下步骤：提供一基准晶圆以及多个目标晶圆；通过扫描分别获取基准晶圆的第一缺陷数量以及目标晶圆的第二缺陷数量；获取基准晶圆的第一有效扫描面积以及第一缺陷扫描面积；获取目标晶圆的第二有效扫描面积以及第二缺陷扫描面积；根据第二缺陷数量以及第二缺陷扫面面积获取目标晶圆的第二根据第二缺陷密度以及第一有效扫描面积，形成一将目标晶圆转换为基准晶圆的等效计算模型并保存。其技术方案的有益效果在于，可以客观的、准确的分析生产线上(多种产品)某种缺陷类别的水平；进而协助工程部门相对应设备进行缺陷水平的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多种 产品 缺陷 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多种产品晶圆缺陷的分析方法，应用于晶圆缺陷分析，其特征在于，具体包括以下步骤：/n步骤S1、提供一基准晶圆以及多个目标晶圆；/n步骤S2、通过扫描分别获取所述基准晶圆的第一缺陷数量以及所述目标晶圆的第二缺陷数量；/n步骤S3、获取所述基准晶圆的第一有效扫描面积以及第一缺陷扫描面积；/n步骤S4、获取所述目标晶圆的第二有效扫描面积以及第二缺陷扫描面积；/n步骤S5、根据所述第二缺陷数量以及所述第二缺陷扫描面积获取所述目标晶圆的第二缺陷密度；/n步骤S6、根据所述第二缺陷密度以及所述第一有效扫描面积，形成一将所述目标晶圆转换为所述基准晶圆的等效计算模型并保存。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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