[发明专利]绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器在审
| 申请号： | 201710872869.9 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107591443A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;甘弟 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市顺德区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器，所述绝缘栅双极晶体管包括半导体衬底，有源区、集电极区以及漂移区；有源区设置在所述第一表面处，所述集电极区设置在所述第二表面处；所述漂移区连接所述有源区和集电极区。所述发射极区嵌入设置在所述阱区中，所述沟槽栅极区自所述发射极区延伸至所述漂移区，所述阱区连接所述发射极区和所述漂移区；本方案中，设置所述集电极区的掺杂浓度小于或等于8*1017/cm‑3，所述发射极区的掺杂浓度大于或等于5*1019/cm‑3。以使该绝缘栅双极型晶体具有良好的导通压降和关断时间的折中关系，其综合性能更好，应用能力更强，以及应用的场合更广。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 ipm 模块 以及 空调器 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括:半导体衬底，所述半导体衬底沿其厚度方向依次形成有集电极区、漂移区及有源区；所述有源区包括沟槽栅极区、阱区以及发射极区，所述发射极区嵌入设置在所述阱区中，所述沟槽栅极区自所述发射极区延伸至所述漂移区，所述阱区连接所述发射极区和所述漂移区；所述集电极区的掺杂浓度小于或等于8*1017/cm‑3，所述发射极区的掺杂浓度大于或等于5*1019/cm‑3。
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