[发明专利]绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器在审
| 申请号： | 201710872869.9 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107591443A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;甘弟 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市顺德区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 ipm 模块 以及 空调器 | ||
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括:
半导体衬底，所述半导体衬底沿其厚度方向依次形成有集电极区、漂移区及有源区；所述有源区包括沟槽栅极区、阱区以及发射极区，所述发射极区嵌入设置在所述阱区中，所述沟槽栅极区自所述发射极区延伸至所述漂移区，所述阱区连接所述发射极区和所述漂移区；
所述集电极区的掺杂浓度小于或等于8*1017/cm-3，所述发射极区的掺杂浓度大于或等于5*1019/cm-3。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述阱区的掺杂浓度小于或等于4*1016/cm-3。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述漂移区的掺杂浓度为1*1014/cm-3～6*1014/cm-3。
4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述集电极区的厚度为0.4um～1.0um。
5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述阱区的厚度为1.0um～2.5um。
6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述阱区的厚度与所述发射极区的厚度之差为1um～2um。
7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述发射极区的掺杂类型为N型掺杂，所述集电极区的掺杂类型为P型掺杂，所述阱区的掺杂类型为P型掺杂。
8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述集电极包括第一掺杂区域和第二掺杂区域；所述第一掺杂区域的掺杂浓度高于第二掺杂区域的掺杂浓度。
9.一种IPM模块，其特征在于，包括如权利要求1至8任意一项所述的绝缘栅双极晶体管。
10.一种空调器，其特征在于，所述空调器包括如权利要求1至8任意一项所述的绝缘栅双极晶体管，和/或包括如权利要求9所述的IPM模块。
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