[发明专利]一种晶硅太阳能电池表面钝化的方法在审
申请号: | 201710867196.8 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN107665928A | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 郑霈霆;张范;金浩;张昕宇;许佳平;孙海杰;郭瑶;潘红英 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶硅太阳能电池表面钝化的方法,将晶硅衬底在氧气中氧化钝化后,采用含氢气的气体对所述氧气进行清扫处理,使晶硅衬底处于氢气的气体氛围中,最后在氢气的气体氛围中退火,在退火过程中,氢气能够进一步对硅衬底进行氢化钝化,中和晶硅衬底表面的悬挂键,使得晶硅衬底具有一个更好的钝化效果,采用本发明的方法获得的晶硅衬底用于制备太阳能电池,能够使太阳能电池具有更大的开路电压,同时提高了太阳能电池的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】:
一种晶硅太阳能电池表面钝化的方法,其特征在于,包括:将晶硅衬底在氧气的气体氛围中进行氧化钝化;采用含氢气的气体对所述氧气进行清扫处理,使所述晶硅衬底处于所述氢气的气体氛围中;继续在所述氢气的气体氛围中进行退火,并对所述晶硅衬底进行氢化钝化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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