[发明专利]一种全方位等离子体浸没离子注入装置

摘要

本发明公开了一种全方位等离子体浸没离子注入装置，包括离子注入腔室和设置在离子注入腔室内的用以垂直固定待处理基片的靶台，在靶台上位于边缘部分左右对称分别设有夹持机构，靶台边缘左右两侧分别具有夹持机构以将待处理基片垂直固定在靶台中心处，使得待处理基片正反两面全方位处于等离子体氛围中，能有效避免传统技术中离子注入基片的边缘效应，使得离子注入更加均匀；而且，由于待处理基片一次性完成正反两面离子注入处理，降低了两次处理的差异性，进一步提升了处理效果的均匀性。

主权项

1.一种全方位等离子体浸没离子注入装置，其特征在于：包括离子注入腔室和设置在离子注入腔室内的用以垂直固定待处理基片的靶台，在所述靶台上位于边缘部分左右对称分别设有夹持机构，所述夹持机构包括底部连接在靶台上的固定板和与固定板活动连接的锁紧板，所述固定板与锁紧板之间存在用以夹持固定待处理基片边缘部分的夹持间隙，所述夹持机构还包括设置在固定板和/或锁紧板上用以调节夹持间隙距离的锁紧构件，在所述离子注入腔室内位于靶台上方设有气体注入腔室，所述离子注入腔室与气体注入腔室之间通过挡板分隔，所述挡板阵列分布有气体注入通孔，各所述气体注入通孔沿圆周方向斜向贯穿挡板，各所述气体注入通孔的轴线方向与挡板所在平面之间具有夹角，各所述气体注入通孔呈内、外双环形阵列分布，处于内环的各所述气体注入通孔以顺时针沿圆周方向斜向贯穿挡板，处于外环的各所述气体注入通孔以逆时针沿圆周方向斜向贯穿挡板。