[发明专利]一种太阳能电池片去背结及抛光方法有效
申请号: | 201710852456.4 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN107768481A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 徐永洋;段少雷;彭军 | 申请(专利权)人: | 绿华能源科技(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙)33266 | 代理人: | 沈相权,薛纪表 |
地址: | 311201 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种太阳能电池片去背结及抛光方法,可以去除电池片扩散掺杂过程中产生的PSG层和背面p‑n结,同时达到背面抛光的目的。本发明的突出优点是1)去PSG层时,采用单一的HF,污水成分单一便于回收处理,有利于环境保护;2)采用有机碱TMAH进行去背结抛光处理,在电池片表面不会引入金属离子;3)与传统“水上漂”工艺相比,将PECVD氮化硅镀膜工艺安排去PSG层和去背结及抛光工艺之间,HF和TMAH处理都是采用全浸泡的方式,工艺简单,对设备要求低。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 片去背结 抛光 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池片去背结及抛光方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:步骤1:去PSG层,将经过扩散掺杂的电池片,浸泡在HF溶液中,去除扩散掺杂过程中产生的PSG;步骤2:清洗,将上述电池片,用纯化水清洗去除电池片残留的HF;步骤3:PECVD氮化硅镀膜,将上述电池片,进行PECVD氮化硅镀膜工艺处理,在电池片正面制备一层氮化硅薄膜;步骤4:去背结及抛光,将上述电池片,浸泡在四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液中,去除背面p‑n结并抛光;步骤5:清洗,将上述电池片,用纯化水清洗去除电池片片上残留的TMAH碱液;步骤6:风干,将上述电池片,采用热风风刀将上述电池片吹干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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