[发明专利]一种基于金刚线切割硅片的制绒工艺

摘要

本发明提供的一种基于金刚线切割硅片的制绒工艺，适用于金刚线切割的单晶硅片和多晶硅片。首先采化学沉积法在硅片表面沉积Ag纳米粒子，随后在Ag纳米粒子的催化作用下用HF、H2O2、H2O混合溶液对硅片进行腐蚀制绒，最后用NaOH溶液做进一步的扩孔处理，得到具有微纳米结构绒面的硅片。通过该工艺处理的硅片绒面均匀，无切割痕，硅片表面对光的反射率降低，陷光效果好，有利于提高天阳能电池的能量转化效率。而且，该方法工艺简单、成本低，适合工业化生产。

主权项

一种基于金刚线切割硅片的制绒工艺，其基本特征为所述制绒工艺包括以下步骤：步骤1：去损伤层工艺，将清洗好的硅片浸泡在碱液，去除硅片的表面切割损伤，随后将硅片用去离子水清洗，去除表面残留的碱液；步骤2：沉积Ag纳米颗粒，将上述硅片置于AgNO3和HF的混合溶液中在硅片表面沉积上一层Ag纳米颗粒，随后硅片用去离子水清洗，去除表面残留的AgNO3和HF；步骤3：HF、H2O2混合溶液腐蚀制绒：将上述硅片置于HF、H2O2和去离子水的混合溶液中进行腐蚀制绒，随后将硅片用纯化水清洗，去除表面残留的HF、H2O2；步骤4：去除残留的Ag纳米颗粒，将上述硅片置于NH4OH和H2O2的混合溶液中以去除残留的Ag纳米颗粒，随后将硅片用纯化水清洗，去除表面残留的[Ag(NH3)2]+、NH4OH、H2O2；步骤5：碱液扩孔处理，将上述样品置于碱液中进行扩孔处理。随后将硅片用纯化水清洗，去除表面残留的碱液，最后氮气条件下吹干。