[发明专利]一种倒置结构的铜铟镓硒太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种倒置结构的铜铟镓硒太阳能电池及其制备方法，所述方法包括在基材表面沉积Al电极；在所述Al电极表面沉积ZnO窗口层；在所述ZnO窗口层表面沉积Cu‑In‑Ga或Cu‑In‑Ga‑Se合金薄层，得到多层薄膜结构；将所述多层薄膜结构置于含硒气氛中退火处理，将Cu‑In‑Ga或Cu‑In‑Ga‑Se合金薄层硒化形成铜铟镓硒吸收层，同时将ZnO窗口层部分硒化形成ZnSe缓冲层；在所述铜铟镓硒吸收层表面沉积背电极。本发明与现有铜铟镓硒太阳能电池工艺步骤完全相反，而且在退火处理中，ZnO窗口层部分硒化形成ZnSe缓冲层，不用额外增加缓冲层沉积步骤，短工艺流程，而且ZnSe缓冲层为硒化形成，有效改善了窗口层、缓冲层和吸收层的界面相容性、提高了太阳能电池的光电转化效率。

主权项

一种倒置结构的铜铟镓硒太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：在基材表面沉积Al电极；在所述Al电极表面沉积ZnO窗口层；在所述ZnO窗口层表面沉积Cu‑In‑Ga或Cu‑In‑Ga‑Se合金薄层，得到多层薄膜结构；将所述多层薄膜结构置于含硒气氛中退火处理，将Cu‑In‑Ga或Cu‑In‑Ga‑Se合金薄层硒化形成铜铟镓硒吸收层，同时将ZnO窗口层部分硒化形成ZnSe缓冲层；在所述铜铟镓硒吸收层表面沉积背电极。