[发明专利]基于SRAM的存储器结构及其方法有效
| 申请号： | 201710843384.7 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107910032B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;金晓明;王澍 | 申请（专利权）人： | 上海博维逻辑半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;马佑平 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 这里总体上描述了用于基于静态随机存取存储器SRAM的存储器结构及其方法的技术，例如具有阵列SRAM和NVM的多位非易失性静态随机存取存储器nvSRAM、或SRAM缓冲的一次性可编程OTP存储器、RRAM或其他电阻RAM。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sram 存储器 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种多位非易失性静态随机存取存储器nvSRAM装置，包括：具有多个静态随机存取存储器SRAM单元的静态随机存取存储器SRAM阵列；具有多个非易失性存储器NVM单元的非易失性存储器NVM阵列，其中通过字线行和位线列布置所述SRAM阵列和所述NVM阵列；以及一个或多个开关装置，所述一个或多个开关装置耦合在所述SRAM阵列和所述NVM阵列之间并且被配置为控制SRAM位线BL和NVM位线之间的连接，其中所述多个SRAM单元和相应的NVM单元通过直接共享位线或者通过一个或多个传递控制晶体管装置来连接共享位线而被耦合。
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