[发明专利]基于SRAM的存储器结构及其方法

说明书

这里总体上描述了用于基于静态随机存取存储器SRAM的存储器结构及其方法的技术，例如具有阵列SRAM和NVM的多位非易失性静态随机存取存储器nvSRAM、或SRAM缓冲的一次性可编程OTP存储器、RRAM或其他电阻RAM。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年9月16日提交的美国临时专利申请序列号62/395,581的权益。为了所有目的，上述申请的公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及存储器技术，更具体地，涉及一种多位非易失性静态随机存取存储器nvSRAM装置、一种存储器装置和一种用于操作多位非易失性静态随机存取存储器SRAM装置的方法。

背景技术

除非本文另有说明，否则本部分中描述的材料不是本申请中权利要求的现有技术，并且在这部分包含所述材料也不是承认所述材料是现有技术。

诸如静态随机存取存储器(SRAM)或DRAM之类的易失性半导体存储器由于其相对较低的功耗、速度和简单的操作而可用于计算机设计中，而诸如一次性可编程(OTP)存储器、EEPROM、闪存或甚至PCM之类的非易失性存储器(NVM)具有即使在装有闪存的装置通电或关闭时也能存储配置数据的优点。

许多如今的系统架构利用通常被分开实施的易失性存储器和非易失性存储器装置。由于存储器装置不处于相同的阵列布局，因此系统架构可能会消耗大的区域。此外，它可能降低从SRAM到NVM传输数据的速度。

因此，仍然需要消耗较少功率并提高传输速度性能的相对较小的非易失性SRAM。

发明内容

简言之，本文总体上描述了用于基于SRAM的存储器结构及其方法的技术，例如具有阵列SRAM和NVM的多位非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)、或SRAM缓冲的一次性可编程(OTP)存储器、RRAM或其他电阻RAM。

在一种配置中，描述了一种存储器装置。所述存储器装置可以包括具有多个SRAM单元的静态随机存取存储器(SRAM)阵列和具有多个NVM单元的非易失性存储器(NVM)阵列，其中通过字线行和位线列布置SRAM阵列和NVM阵列。一个或多个开关装置可以耦合在SRAM阵列和NVM阵列之间，并且被配置为控制静态随机存取位线(BL)和非易失性BL之间的连接。

另一种配置可以是操作多位非易失性静态随机存取存储装置的方法。其他实施例涉及SRAM缓冲OTP存储器和电阻RAM。

前面的概述仅是说明性的，并不意图以任何方式进行限制。除了上述说明性方面、实施例和特征之外，通过参考附图和以下详细描述，其他方面、实施例和特征将变得明显。

附图说明

结合附图，从下面的描述和所附的权利要求，本公开的前述和其它特征将变得更加明显。应理解，这些附图仅描绘了根据本公开的几个实施例并且因此不应被认为是限制其范围，通过使用附图将以附加的特定性和细节来描述本公开，附图中：

图1是示出具有阵列SRAM和NVM的示例性多位nvSRAM装置的示意性电路图；

图2是示出图1中所示的具有多列的多位nvSRAM的一列单元的示意性电路图；

图3是示出具有共享位线的阵列SRAM和NVM的另一示例性多位nvSRAM装置的示意性电路图；

图4是示出具有与高压装置耦合的阵列SRAM和NVM的另一示例性多位nvSRAM装置的示意性电路图；

图5是示出具有阵列SRAM和NVM的另一示例性多位nvSRAM装置的示意性电路图；

图6是示出具有阵列SRAM和NVM的又一示例性多位nvSRAM装置的示意性电路图；