[发明专利]分布反馈式半导体激光器装置及光子集成发射芯片模块有效

专利信息
申请号: 201710827089.2 申请日: 2017-09-14
公开(公告)号: CN107565381B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 周亚亭;茆锐;沈玉乔;肖虹 申请(专利权)人: 常州工学院
主分类号: H01S5/0625 分类号: H01S5/0625;H01S5/12
代理公司: 32207 南京知识律师事务所 代理人: 高桂珍<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 213032 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种分布反馈式半导体激光器装置及光子集成发射芯片模块。该装置的光栅由两个啁啾光栅通过无光栅的增益区串联而成,或者由取样周期啁啾的取样光栅通过无光栅的增益区串联而成;其中第一个啁啾光栅的电极由三个相互电隔离的电极组成,这个光栅中间电极所对应部分为相移调整区,它的两侧电极对应部分为侧边区;第二个啁啾光栅所对应部分是无增益的无源区,或者是由一个或多个电极控制的有源区。本发明通过改变侧边区、相移调整区注入电流或者注入电流的比例,可连续调节激光器的激射波长以满足ITU-T标准要求;当第二个啁啾光栅结构与第一个光栅完全相同时,激射的激光有更好的单模特性,且线宽更窄。
搜索关键词: 分布 反馈 半导体激光器 装置 光子 集成 发射 芯片 模块
【主权项】:
1.分布反馈式半导体激光器装置,其特征在于:所述装置的光栅由两个啁啾光栅通过无光栅的增益区串联而成,或者是由两个取样周期啁啾的取样光栅通过无光栅的增益区串联而成;其中第一个啁啾光栅的电极由三个相互电隔离的电极组成,这个光栅中间电极所对应部分为相移调整区,它的两侧电极对应部分为侧边区;第二个啁啾光栅所对应部分是无增益的无源区,或者是由一个或多个电极控制的有源区;通过改变激光器啁啾光栅的侧边区和中间相移调整区电极注入电流比例,引发线性啁啾光栅在不同的光栅周期位置产生激射,进而精细调节激光器的激射波长。/n
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