[发明专利]分布反馈式半导体激光器装置及光子集成发射芯片模块

权利要求书

1.分布反馈式半导体激光器装置，其特征在于：所述装置的光栅由两个啁啾光栅通过无光栅的增益区串联而成，或者是由两个取样周期啁啾的取样光栅通过无光栅的增益区串联而成；其中第一个啁啾光栅的电极由三个相互电隔离的电极组成，这个光栅中间电极所对应部分为相移调整区，它的两侧电极对应部分为侧边区；第二个啁啾光栅所对应部分是无增益的无源区，或者是由一个或多个电极控制的有源区；通过改变激光器啁啾光栅的侧边区和中间相移调整区电极注入电流比例，引发线性啁啾光栅在不同的光栅周期位置产生激射，进而精细调节激光器的激射波长。

2.根据权利要求1所述的分布反馈式半导体激光器装置，其特征在于：第一个啁啾光栅的两个侧边区电极通过导线连接在一起，形成同一个侧边区电极。

3.根据权利要求1所述的分布反馈式半导体激光器装置，其特征在于：第一个啁啾光栅的两个侧边区长度相同。

4.根据权利要求1所述的分布反馈式半导体激光器装置，其特征在于：第二个啁啾光栅与第一个啁啾光栅是完全相同的啁啾光栅，其对应的电极和结构也相同，均由完全相同的两个侧边区和一个相移调整区组成。

5.根据权利要求4所述的分布反馈式半导体激光器装置，其特征在于：第二个啁啾光栅的两个侧边区电极，用导线连接在一起，形成同一个侧边区电极。

6.根据权利要求4所述的分布反馈式半导体激光器装置，其特征在于：两个啁啾光栅的四个侧边区电极，用导线连接在一起形成同一个侧边区电极，两个啁啾光栅的两个相移调整区电极，用导线连接在一起形成同一个相移调整区电极。

7.根据权利要求1所述的分布反馈式半导体激光器装置，其特征在于：相邻的相移调整区、侧边区、增益区和第二个啁啾光栅的各电极间通过相距一定距离、或者通过注入氦离子、或者通过刻蚀电隔离沟的方式相电隔离。

8.一种分布反馈式半导体激光器单片集成阵列，其特征在于：由权利要求1至7中任意一项所述的分布反馈式半导体激光器装置构成。

9.一种光子集成发射芯片模块，其特征在于：由激光监测器阵列、权利要求8所述的分布反馈式半导体激光器单片集成阵列、调制器阵列、功率均衡器阵列和复用器，通过选择区外延生长或对接生长技术，依次生长集成到同一外延晶片上构成。