[发明专利]一种利用硅合金可控化生长高纯块状晶体硅的方法有效
| 申请号： | 201710826240.0 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107557854B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李亚琼;张立峰;马玉升 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种晶体硅可控化生长及提纯的方法,属于冶金提纯及晶体生长交叉技术领域。该方法构建具有三明治结构“冶金硅‑溶剂金属‑籽晶”的样品原料，放置于具有温度梯度的热场中进行加热、保温，待保温结束后快速淬火冷却至室温，最终分离得到生长速度可控、品质(纯度、杂质分布)可控、晶体取向可控的块状晶体硅，并将冶金硅源、硅合金及籽晶回收重复利用。本发明主要通过添加冶金硅源以促进晶体硅稳定生长，提高生长速率；添加籽晶衬底以有效调控生长硅晶体取向；其次通过添加低熔点溶剂金属与冶金硅形成合金熔体，有效降低晶体硅生长温度，降低能耗，降低生长硅中杂质含量，提高提纯效果。本发明生长提纯晶体硅满足太阳能级硅的要求，节能降耗环保，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 合金 可控 化生 高纯 块状 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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