[发明专利]晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201710821076.4 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107863293B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 上里昌充;裵泰羽 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;乔婉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供晶片的加工方法,抑制缺陷或裂纹的产生并将晶片分割成芯片。该晶片具有正面,在该正面上,在由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件,该方法具有如下步骤:正面保护带粘贴步骤,在晶片的正面上粘贴正面保护带;改质层形成步骤,在实施了正面保护带粘贴步骤之后,沿着间隔道从晶片背面侧照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层;以及磨削步骤,在实施了改质层形成步骤之后,从背面侧对晶片进行磨削而薄化,在正面保护带粘贴步骤中,一边对正面保护带进行加热一边进行粘贴,在改质层形成步骤或磨削步骤中,形成从改质层到晶片的正面的裂纹,在磨削步骤中,以裂纹为边界对晶片进行分割而形成各个芯片。
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片具有正面,在该正面上,在由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的步骤:正面保护带粘贴步骤,在晶片的该正面上粘贴正面保护带;改质层形成步骤,在实施了该正面保护带粘贴步骤之后,沿着该间隔道从晶片的背面侧照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层;以及磨削步骤,在实施了该改质层形成步骤之后,从该背面侧对晶片进行磨削而薄化,在该正面保护带粘贴步骤中,一边对该正面保护带进行加热一边进行粘贴,在该改质层形成步骤或磨削步骤中,形成从该改质层到该晶片的正面的裂纹,在该磨削步骤中,以该裂纹为边界对晶片进行分割而形成各个芯片。
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