[发明专利]一种闪存存储器混合读写方法及混合读写闪存存储器在审

专利信息
申请号: 201710817669.3 申请日: 2017-09-12
公开(公告)号: CN107527655A 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 陈杰智;杨文静 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/26
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司37219 代理人: 王绪银
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种闪存存储器混合读写方法及混合读写闪存存储器。闪存存储器混合读写方法,是在闪存存储器中将单值存储、多值存储、三值存储和四值存储四种存储模式进行混合操作,四种存储模式中的至少两种混合应用于同一存储区的不同字线。混合读写闪存存储器,包括数据接口,NAND控制器和存储区域;NAND控制器中设置有负责管理存储区域划分的存储区域管理模块和负责与不同存储区域动作模式对应的存储模式控制模块。不同的动作模式可以在初期限定,也可以在存储器读写的过程中可动态调整,从而减小由存储单元特性的变化导致错码的概率。本发明在保证存储密度的前提下实现了高存储密度和高可靠性的平衡,有效的提高闪存存储器的可靠性。
搜索关键词: 一种 闪存 存储器 混合 读写 方法
【主权项】:
一种闪存存储器混合读写方法,其特征是,在闪存存储器中将单值存储、多值存储、三值存储和四值存储四种存储模式进行混合操作,四种存储模式中的至少两种混合应用于同一存储区的不同字线。
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