[发明专利]一种自动根据输入选择功率路径的开关装置在审

专利信息
申请号: 201710814003.2 申请日: 2017-09-11
公开(公告)号: CN108259030A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 孙霓 申请(专利权)人: 杰夫微电子(四川)有限公司
主分类号: H03K17/693 分类号: H03K17/693;H03K17/08;H03K17/00
代理公司: 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 徐丰;张巨箭
地址: 610213 四川省成都市天府新区天*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种自动根据输入选择功率路径的开关装置,包括连接在至少两个输入电压源和一个输出负载之间的开关电路,控制导通时对输出负载的浪涌电流,包括:一个第一功率PMOS负载开关,至少一个额外功率PMOS负载开关,每个额外功率PMOS负载开关均具有独立的输入电压源;一个系统控制块;一个输入VCC选择模块,连接到每个输入电压源,用于确定至少两个输入电压源中具有最高的电压电势的一个,并向系统控制块发送控制信号,用于系统控制块选择第一功率PMOS负载开关或者是额外功率PMOS负载开关连接到输出负载。本发明可以控制在导通时对输出负载的浪涌电流。
搜索关键词: 负载开关 输入电压源 输出负载 额外功率 系统控制 功率路径 浪涌电流 输入选择 导通 电压电势 开关电路 控制信号 选择模块 块发送 块选择
【主权项】:
1.一种自动根据输入选择功率路径的开关装置,包括连接在至少两个输入电压源和一个输出负载之间的开关电路,控制导通时对输出负载的浪涌电流,其特征在于:包括:一个第一功率PMOS负载开关,所述第一功率PMOS负载开关包括第一功率PMOS负载开关栅极、第一功率PMOS负载开关源极和第一功率PMOS负载开关漏极,将对输出负载的浪涌电流从所述第一功率PMOS负载开关源极传递到第一功率PMOS负载开关漏极,并且浪涌电流通过所述第一功率PMOS负载开关栅极上的负载开关控制电压来控制;至少一个额外功率PMOS负载开关,所述额外功率PMOS负载开关包括额外功率PMOS负载开关栅极、额外功率PMOS负载开关源极和额外功率PMOS负载开关漏极,将对输出负载的浪涌电流从所述额外功率PMOS负载开关源极传递到额外功率PMOS负载开关漏极,并且浪涌电流通过所述额外功率PMOS负载开关栅极上的负载开关控制电压来控制;每个功率PMOS负载开关均具有独立的输入电压源;一个系统控制块,连接到每个功率PMOS负载开关栅极,向每个功率PMOS负载开关提供所述负载开关控制电压;一个输入VCC选择模块,连接到每个输入电压源,用于确定至少两个输入电压源中具有最高的电压电势的一个,并向系统控制块发送控制信号,用于系统控制块选择第一功率PMOS负载开关或者是额外功率PMOS负载开关连接到输出负载。
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