[发明专利]基于链式制绒设备的金刚线硅片纳微绒面制备方法在审
申请号: | 201710809722.5 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN107623053A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 黄钧林;余静文;黄青松;周肃;张鑫;贾佳;黄惜惜;邱家梁;勾宪芳 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/306 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 汤磊 |
地址: | 212132 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于链式制绒设备的金刚线硅片纳微绒面制备方法,先将金刚线硅片浸入到AgNO3、HF、HNO3的混合液中反应,表面形成许多内部含银颗粒的纳米级腐蚀坑,然后浸入到硝酸溶液中反应,再浸入到HF、HNO3的混合液中反应,使纳米级腐蚀坑扩大为亚微米级腐蚀坑,最后进行碱洗和酸洗。本发明制备方法能有效去除金刚线硅片表面的切割线痕,得到形貌均一的亚微米绒面;简易的一步法,成本较低,工艺稳定,重复性好,无需使用添加剂,适用于工业大规模量产;通过改变工艺温度和药液配比,可以调节绒面尺寸、反射率以及外观均一性,通过配合不同的太阳能电池后续扩散和镀膜工艺,可获得良好的钝化效果,从而获得较高的电池转化效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 链式 设备 金刚 硅片 纳微绒面 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于链式制绒设备的金刚线硅片纳微绒面制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一:将金刚线硅片浸入到AgNO3、HF、HNO3的混合液中反应,同时进行银颗粒沉积和HF‑HNO3酸腐蚀体系的表面织构化,去除金刚线切割痕,表面形成许多内部含银颗粒的纳米级腐蚀坑;步骤二:将步骤一得到的金刚线硅片浸入到硝酸溶液中反应,去除银颗粒并用去离子水进行清洗;步骤三:将步骤二得到的金刚线硅片浸入到HF、HNO3的混合液中反应,使步骤一中的纳米级腐蚀坑扩大为亚微米级腐蚀坑;步骤四:将步骤三得到的金刚线硅片进行碱洗和酸洗,去除表面的多孔硅和其它杂质,并清洗烘干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中节能太阳能科技(镇江)有限公司,未经中节能太阳能科技(镇江)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710809722.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型储米桶
- 下一篇:一种即抽即敷面膜布收纳仓结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的