[发明专利]用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结在审
| 申请号： | 201710803810.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN107863400A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | R·L·吴;D·C·罗;J·C·布瓦维尔 | 申请（专利权）人： | 波音公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0693;H01L31/0735 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 张全信,董志勇 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的名称是用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结。公开了包括p‑掺杂的AlGaInAs隧道层和n‑掺杂的InP隧道层的II型隧道结。进一步公开了在光电子电池之间并入高带隙II型隧道结的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳能电池 inp 晶格 常数 ii 型高带隙 隧道 | ||
【主权项】：
隧道结，其包括：p‑掺杂的隧道层；和n‑掺杂的隧道层；其中所述隧道结具有InP晶格常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
