[发明专利]一种低温多晶硅面板在审
| 申请号： | 201710791713.8 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107464806A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 韩约白 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238 | 代理人： | 潘中毅,熊贤卿 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅面板，该面板包括边缘区域；边缘区域包括有多晶硅膜层以及位于多晶硅膜层上方的层间间隔层；在层间间隔层上设置有一列虚拟像素单元，在该列虚拟像素单元上方设置有第一导电薄膜层，虚拟像素单元与第一导电薄膜层之间通过钝化层绝缘隔开；该列虚拟像素单元包含有一列薄膜晶体管，以及与薄膜晶体管电性连接的用于接入公共信号的数据线；层间间隔层上设置有第一开孔，多晶硅膜层通过第一开孔与数据线电性连接。本发明提供的低温多晶硅面板，可以将多晶硅膜层上聚集的电荷导走，避免多晶硅面板的边缘炸伤，还可以防止多晶硅面板边缘出现漏光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 面板 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅面板，包括边缘区域，其特征在于，所述边缘区域包括有：多晶硅膜层(1)以及位于所述多晶硅膜层(1)上方的层间间隔层(2)；在所述层间间隔层(2)上设置有一列虚拟像素单元，在该列所述虚拟像素单元上方设置有第一导电薄膜层(3)，所述虚拟像素单元与所述第一导电薄膜层(3)之间通过钝化层(4)绝缘隔开；该列所述虚拟像素单元包含有一列薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管电性连接的用于接入公共信号的数据线；所述层间间隔层(2)上设置有第一开孔(13)，所述多晶硅膜层(1)通过所述第一开孔(13)与所述数据线电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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