[发明专利]一种基于石墨烯的焦平面成像器件及其制备方法有效
申请号: | 201710787812.9 | 申请日: | 2017-09-04 |
公开(公告)号: | CN107579128B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 张永哲;游聪娅;邓文杰;刘北云 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/028;H01L31/09;H01L31/18;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种基于石墨烯的焦平面成像器件及其制备方法,属于光电探测技术领域。基于石墨烯的焦平面成像器件,采用石墨烯和硫化铅量子点复合作为像元,其中高载流子迁移率的石墨烯为电荷传输层,硫化铅量子点为石墨烯基光敏吸收层,使器件在可见至近红外波段具有高灵敏和宽光谱的响应,同时焦平面像元的设计,使石墨烯在成像领域实现了应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 平面 成像 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高灵敏宽光谱的基于石墨烯的焦平面成像器件,其特征在于,包括多个石墨烯基光敏像元和像元引出电极;石墨烯基光敏像元,衬底为高掺杂硅层(6)、高掺杂硅层上为二氧化硅绝缘层(5)、二氧化硅绝缘层上为石墨烯层(2),石墨烯层(2)的两边部分上表面为相对平行设置的两粘附层(4),在石墨烯层(2)的中间部分上表面也即相对平行的两粘附层(4)之间为硫化铅量子点层(1);相对平行两粘附层(4)上分别为一金属电极层(3),两金属电极层一个为像元漏极,一个为公共源极;多个石墨烯基光敏像元平行的设置成两排(11),两排石墨烯基光敏像元的公共源极向里,并共同通过公共端(12)与公共源极引出端(9)相连;两排石墨烯基光敏像元的像元漏极向外,且每个像元漏极均通过一个电极引线(8)与一个像元漏极引出端(7)连接;多个石墨烯基光敏像元的衬底高掺杂硅层(6)和高掺杂硅层上的二氧化硅绝缘层(5)为同一整体的结构;两排的石墨烯基光敏像元非正对对称排布,进行交叉间隔非对称排布;像元漏极引出端、电极引线、公共端、公共源极引出端和对准标记作为像元引出电极,两排的石墨烯基光敏像元构成中心像元(11),在中心像元的两侧面设有对准标记用于石墨烯基光敏像交叉间隔排布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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