[发明专利]一种MOS管过流保护电路有效
| 申请号： | 201710787460.7 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107395175B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 许守东;陈勇;李胜男;马红升;周文闻;郭成;张丽;周鑫;李俊鹏;韩钰;何鑫;赵艳鹏;王少伯;任志军;李治兵 | 申请（专利权）人： | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本申请公开了一种MOS管过流保护电路，利用MOS管发生过流时其导通电压V |
||
| 搜索关键词： | 一种 mos 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种MOS管过流保护电路，用于与MOS管连接，其特征在于，所述MOS管过流保护电路包括第一电容(C1)、充电电路(L1)、放电电路(L2)与MOS管断开电路(L3)；所述第一电容(C1)串联在MOS管的S极与MOS管的D极之间；所述充电电路(L1)与放电电路(L2)并联后串联在所述第一电容(C1)与MOS管驱动电路之间，所述充电电路(L1)用于根据MOS管驱电路传输的MOS管导通信号，并对所述第一电容(C1)充电，使所述第一电容(C1)的充电电压随MOS管的导通电压VDS同步升降；所述放电电路(L2)用于根据MOS管驱动电路传输的MOS管断开信号，并对所述第一电容(C1)完全放电；所述MOS管断开电路(L3)串联在所述第一电容(C1)与MOS管的G极之间，用于在所述第一电容(C1)的充电电压超过预设稳压值时，将MOS管的G极电压降低，从而使MOS管断开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南电网有限责任公司电力科学研究院，未经云南电网有限责任公司电力科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710787460.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
