[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201710785556.X | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107799429B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | A.布雷梅泽尔;A.布罗克迈尔;R.克恩;R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯;C.冯科布林斯基 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L23/15;H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。一种用于形成半导体器件的方法包含将玻璃结构附接至包括多个半导体器件的宽带隙半导体晶片。该方法进一步包含通过在延伸经过玻璃结构的至少一个开口内形成导电材料来形成电气连接至该宽带隙半导体晶片的半导体衬底的至少一个掺杂区的至少一个焊盘结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
用于形成半导体器件的方法（100），包括：将玻璃结构附接（10）至包括多个半导体器件的宽带隙半导体晶片；通过在延伸经过玻璃结构的至少一个开口内形成导电材料来形成（20）电气连接至宽带隙半导体晶片的半导体衬底的至少一个掺杂区的至少一个焊盘结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
