[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件

说明书

本发明公开用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。一种用于形成半导体器件的方法包含将玻璃结构附接至包括多个半导体器件的宽带隙半导体晶片。该方法进一步包含通过在延伸经过玻璃结构的至少一个开口内形成导电材料来形成电气连接至该宽带隙半导体晶片的半导体衬底的至少一个掺杂区的至少一个焊盘结构。

技术领域

实施例涉及针对半导体器件的接触和钝化结构的概念，并且特别地涉及用于形成半导体器件的方法并且涉及半导体器件。

背景技术

为了保护半导体器件或集成电路以抗它们在其中操作的外部环境，通常将它们容纳在封闭外壳中。其他概念可依赖于混合封装设计，其中需要实现至少两个接口。虽然常常在芯片制造商的场所处常常使用诸如导线接合或倒装芯片接合之类的高级连接技术来直接创建“芯片外壳”接口，但常常可以在最终客户处实现第二接口（“外壳板/模块”）。

非气密性、基于塑料或基于陶瓷的封装可能不适合于半导体技术中的许多应用，因为它们可能不能够充分保护电气芯片免遭外部环境影响（水分、辐射、热…）。关于潮湿吸收并且关于它们的长期稳定性，特别地由于增强的吸湿性，基于酰亚胺的芯片钝化和这种类型的封装二者可能在（回流）焊接方面显示相当大的缺点（例如作为所谓的爆米花效应的结果的断裂或破裂形成）。

此外，现代器件在操作中的能力可能特别地受散热效率限制，因为增加的集成密度和开关功率导致越来越大的与表面积有关的电流密度并且因此导致越来越大的该器件所暴露于的热负载。为了保护该器件免遭由过热引起的功能障碍或甚至破坏，用户可越来越采取措施来冷却部件。

被动冷却概念通常规定使用所谓的“引线框架”。归因于增大的器件集成密度以及相关减小的节距，对于焊膏和筛分器（screener）设置的生产工程努力和要求会增大。替换地，可在一些系统中使用用于冷却的直接在芯片上的厚金属层（电力金属化（powermetallization））。然而，金属化的层厚度部分限于~20µm（例如在图形电镀中）。

发明内容

可能存在提供针对半导体器件的改进概念的需求，该改进概念实现半导体器件的改进的接触结构和/或改进的钝化和/或改进的稳健性。

可通过权利要求的主题来满足这样的需求。

一些实施例涉及一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括将玻璃结构附接至包括多个半导体器件的宽带隙半导体晶片。该方法进一步包括通过在延伸经过玻璃结构的至少一个开口内形成导电材料来形成电气连接至该宽带隙半导体晶片的半导体衬底的至少一个掺杂区的至少一个焊盘结构。

一些实施例涉及一种包括宽带隙半导体衬底的半导体器件。该半导体器件进一步包括附接至该半导体衬底的玻璃结构。该玻璃结构包括延伸经过玻璃结构的至少一个开口，其包括电气连接至半导体衬底的至少一个掺杂区的至少一个焊盘结构。

一些实施例涉及一种包括半导体衬底的半导体器件。该半导体器件进一步包括附接至该半导体衬底的玻璃结构。该玻璃结构包括延伸经过该玻璃结构的至少一个开口，其包括电气连接至半导体衬底的至少一个掺杂区的至少一个焊盘结构。该玻璃结构与半导体衬底的垂直边缘表面接触。

附图说明

将在下文中仅通过示例且参考附图来描述装置和/或方法的一些实施例，在所述附图中：

图1图示用于形成半导体器件的方法的流程图；

图2a-9c图示根据用于形成半导体器件的方法的制造期间的各种阶段的宽带隙半导体晶片的示意性横截面；

图10图示用于形成半导体器件的方法的流程图；

图11图示半导体器件的示意性横截面；以及

图12图示半导体器件的示意性横截面。

具体实施方式