[发明专利]一种存储单元和静态随机存储器有效
| 申请号： | 201710785410.5 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109427388B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 池思杰;季秉武;赵坦夫;周云明 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/419;G11C8/16;G11C8/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种存储单元和静态随机存储器，该存储单元包括：锁存器，所述锁存器提供第一存储位；所述存储单元还包括第一MOS管；所述第一MOS管的栅极连接所述第一存储位，所述第一MOS管的源极连接第一读取线，所述第一MOS管的漏极连接第二读取线；在第一状态下，所述第一读取线为读取字线，所述第二读取线为读取位线；在第二状态下，所述第二读取线为读取字线，所述第一读取线为读取位线。本发明实施例的存储单元能够实现读取字线和读取位线互换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 静态 随机 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元包括锁存器，所述锁存器提供第一存储位；所述存储单元还包括第一MOS管；所述第一MOS管的栅极连接所述第一存储位，所述第一MOS管的源极连接第一读取线，所述第一MOS管的漏极连接第二读取线；在第一状态下，所述第一读取线为读取字线，所述第二读取线为读取位线；在第二状态下，所述第二读取线为读取字线，所述第一读取线为读取位线。
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