[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710780532.5 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109427586B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 罗泽煌;史霄 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;翟海青 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：半导体衬底；体区，体区设置在所述半导体衬底中，具有第一导电类型；源极，设置在体区中，具有第二导电类型；体引出区，设置在所述源极下方的体区中，具有第一导电类型，体引出区的杂质掺杂浓度大于体区的杂质掺杂浓度。本发明的半导体器件体引出区埋入在源极的下方使得源极端的间距进一步缩小，解决了器件源极端的体引出区需要占据一定尺寸的问题，大幅优化了器件间距大的问题，有利于器件尺寸的减小，同时，体引出区设置在源极的下方，可以减小横向上体引出区的引出距离，分散与降低衬底电流，改善器件特性，因此，本发明的半导体器件具有小的尺寸和高的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；体区，所述体区设置在所述半导体衬底中，具有第一导电类型；源极，设置在所述体区中，具有第二导电类型；体引出区，设置在所述源极下方的所述体区中，具有所述第一导电类型，所述体引出区的杂质掺杂浓度大于所述体区的杂质掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
