[发明专利]用于三维存储器的晶圆三维集成引线工艺及其结构

摘要

本发明提供一种晶圆三维集成引线工艺及其结构，该工艺可应用于三维存储器晶圆的晶圆三维集成工艺中。通过在第一晶圆11和三维存储器件14之间设置介质层13，并将用于金属互联的接触孔15设置为与该介质层13接触，本发明的目的就是要提供一种新的晶圆三维集成引线工艺及其结构，使得可以穿过较厚的器件层实现背面引线。

主权项

1.一种晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一晶圆，该第一晶圆具有相对设置的正面和背面，该第一晶圆的正面至少部分区域上设置有接触孔区域；在该接触孔区域中形成介质层，该介质层具有相对设置的顶面和底面，其中该顶面为朝向该第一晶圆正面的一侧，该底面为朝向该第一晶圆背面的一侧；在该第一晶圆的正面至少包含介质层的区域上制造半导体器件，该半导体器件包括接触孔，该接触孔的一端与该介质层接触，且所述一端沿接触孔的轴向延伸至所述介质层内并介于所述介质层的底面和顶面之间；将包括该半导体器件的第一晶圆的半导体器件一侧与第二晶圆键合，并将该第一晶圆的背面进行减薄；在减薄后的该第一晶圆的背面进行开孔处理,露出该介质层的至少一部分表面；在该第一晶圆的背面制作绝缘层，至少覆盖该开孔的侧壁和开孔中露出的介质层的表面；在该第一晶圆的背面的绝缘层和介质层内与该接触孔对应的位置形成通孔，该通孔与对应的该接触孔连通；在该通孔内形成第一金属连接结构，在该开孔内形成第二金属连接结构，该第一金属连接结构与该第二金属连接结构电连接，并且该第一金属连接结构与该接触孔电连接；在该第一晶圆的背面沉积引线金属层，并对该引线金属层利用微影和刻蚀工艺定义引线结构，该引线结构与该第二金属连接结构电连接。