[发明专利]一种晶片清洗方法在审
| 申请号： | 201710775192.7 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107393812A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘旭华;蒋阳波;汪亚军;李君;刘开源 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王雪,王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶片清洗方法，所述方法包括采用单片式机台进行清洗，清洗时，先采用Ozone进行清洗，由于Ozone具有氧化作用，能够将污染物或晶片表面的膜层进一步氧化，在后续采用SC1清洗液清洗时，更易于清除附着物，清洗效果更好，提高产品良率。此外，单片式机台的清洗方式是一次只清洗一个晶片，能够避免交叉感染。而且本发明的晶片清洗方法减少了化学品的使用，降低了晶片清洗的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片清洗方法，其特征在于，所述方法包括：在单片式机台中，采用臭氧去离子水混合液清洗晶片，而后，采用SC1清洗液清洗所述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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