[发明专利]一种单颗粒表面等离激元电光调制器及其制备方法有效
申请号: | 201710773062.X | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107608094B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 方哲宇;李博文;朱星;祖帅;蒋瞧 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G02F1/015 | 分类号: | G02F1/015;G02F1/03 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公布了一种单颗粒表面等离激元电光调制器及其制备方法。该电光调制器件在可见光波段实现对散射光光强主动调制,包括底电极、导电衬底、绝缘层、单层过渡金属硫族化合物,在单层过渡金属硫族化合物上具有相互远离的金属纳米结构和顶电极;底电极与顶电极与外部调制电压相连接,组成电光调制器的正负极,正负极之间由绝缘层隔开形成平板电容器型结构。当施加外部调制电压时,过渡金属硫族化合物费米能级发生移动进而改变其光学性质,其与金属纳米结构的耦合强度随之发生改变,从而实现对散射光场的调制。本发明是首个在纳米尺度上实现对光场调制的电光调制器,工作在可见光波段,具有稳定性高、响应速度快的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 颗粒 表面 离激元 电光 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种单颗粒表面等离激元电光调制器,其特征在于,包括底电极、导电衬底、绝缘层、单层过渡金属硫族化合物、金属纳米结构和顶电极,其中:底电极位于导电衬底之下,绝缘层位于导电衬底上,单层过渡金属硫族化合物位于绝缘层上,金属纳米结构位于单层过渡金属硫族化合物上,顶电极位于单层过渡金属硫族化合物上但远离金属纳米结构区域;所述过渡金属硫族化合物表示为MX2,其中M=Mo或W,X=S或Se;该电光调制器具有平板电容型结构,底电极与顶电极分别与外部调制电压相连接,组成电光调制器的正负极,正负极之间由绝缘层隔开形成电容器。
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