[发明专利]一种叉指状测试结构有效
| 申请号： | 201710772516.1 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107579016B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 蔚倩倩;李桂花;仝金雨;李辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种叉指状测试结构，包括：在第一方向上相对设置的多个金属结构；其中，所述金属结构包括：第一金属线结构；与所述第一金属线结构垂直设置连接的多条第二金属线结构；设置于相邻两条所述第二金属线结构之间的第三金属线结构；所述第三金属线结构为预设数量的短金属线之间按照预设距离进行依次排布，且排布方向垂直于所述第一金属线结构；所述第三金属线结构与所述第一金属线结构以及所述第二金属线结构之间均不连接；在所述第一方向上的所述第一金属线结构之间相互连接；在所述第一方向上的所述第三金属线结构中的相邻的短金属线之间相互连接。该叉指状测试结构可以精确定位失效点的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 叉指状 测试 结构 | ||
【主权项】：
1.一种叉指状测试结构，其特征在于，所述叉指状测试结构包括：在第一方向上相对设置的多个金属结构；其中，所述金属结构包括：第一金属线结构；与所述第一金属线结构垂直设置连接的多条第二金属线结构；设置于相邻两条所述第二金属线结构之间的第三金属线结构；所述第三金属线结构为预设数量的短金属线之间按照预设距离进行依次排布，且排布方向垂直于所述第一金属线结构；所述第三金属线结构与所述第一金属线结构以及所述第二金属线结构之间均不连接；在所述第一方向上的所述第一金属线结构之间相互连接；在所述第一方向上的所述第三金属线结构中的相邻的短金属线之间相互连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710772516.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
