[发明专利]曝光装置、曝光方法及光刻方法有效
| 申请号： | 201710770859.4 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109426091B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 成纹圭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种曝光装置、曝光方法及光刻方法。该曝光装置包括：曝光光源和光路组件，其中，所述光路组件配置为将所述曝光光源发出的光引导至曝光位置，所述光路组件包括光阀阵列，所述曝光光源发出的光可以被引导至所述光阀阵列，且经所述光阀阵列透射或反射之后被引导至所述曝光位置，所述光阀阵列包括多个光阀单元，所述光阀单元的光透射率或反射率能够被调节。该曝光方法利用上述曝光装置，可使最终获得的曝光图案更加接近于目标图案。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 方法 光刻 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，包括：曝光光源和光路组件，其中，所述光路组件配置为将所述曝光光源发出的光引导至曝光位置，所述光路组件包括光阀阵列，所述曝光光源发出的光可以被引导至所述光阀阵列，且经所述光阀阵列透射或反射之后被引导至所述曝光位置，所述光阀阵列包括多个光阀单元，所述光阀单元的光透射率或反射率能够被调节。
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