[发明专利]曝光装置、曝光方法及光刻方法有效
申请号: | 201710770859.4 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109426091B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 成纹圭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 方法 光刻 | ||
1.一种利用曝光装置的曝光方法,其中,所述曝光装置包括:曝光光源和光路组件,所述光路组件配置为将所述曝光光源发出的光引导至曝光位置,
所述光路组件包括光阀阵列,所述曝光光源发出的光可以被引导至所述光阀阵列,且经所述光阀阵列透射或反射之后被引导至所述曝光位置,
所述光阀阵列包括多个光阀单元,所述光阀单元的光透射率或反射率能够被调节;
所述曝光方法包括:
获取曝光补偿参数;
根据所述曝光补偿参数,调整所述光阀阵列的反射率或透射率;以及
使用从所述曝光光源发射且经所述光阀阵列调整后的光进行曝光;
其中,获取所述曝光补偿参数包括:
获得临界尺寸测试图案;
根据所述测试图案得出所述临界尺寸的分布矩阵Aij;以及
由目标临界尺寸矩阵atarget与所述临界尺寸的分布矩阵Aij计算得到补偿因子矩阵Cij作为补偿参数。
2.根据权利要求1所述的曝光方法,其中,在所述曝光装置中,所述光路组件包括两条光路:
不包括所述光阀阵列的第一曝光光路,以及
包括所述光阀阵列的第二曝光光路。
3.根据权利要求1所述的曝光方法,其中,在所述曝光装置中,所述光路组件还包括第一反射镜和第二反射镜,
所述第一反射镜将所述曝光光源发出的光引导至所述光阀阵列,
所述第二反射镜将经所述光阀阵列透射或反射之后的光引导至所述曝光位置。
4.根据权利要求1所述的曝光方法,其中,在所述曝光装置中,所述光阀阵列为反射型光阀阵列或透射型光阀阵列。
5.根据权利要求1所述的曝光方法,其中,在所述曝光装置中,
所述反射型光阀阵列包括微镜阵列;
所述透射型光阀阵列包括电致变色光阀阵列或液晶光阀阵列。
6.根据权利要求1所述的曝光方法,其中,所述曝光装置还包括:
控制装置,配置为调节所述光阀单元的光透射率或反射率。
7.根据权利要求6所述的曝光方法,其中,在所述曝光装置中,
- 电致变色光阀阵列采用的电致变色材料为WO3、MoO、Nb2O5、V2O5、NiO、IrO或MnO。
8.根据权利要求6所述的曝光方法,其中,在所述曝光装置中,
所述控制装置配置为通过调节施加在所述光阀阵列的各个光阀单元的电压来调节所述光阀单元的光透射率或反射率。
9.根据权利要求8所述的曝光方法,其中,所述曝光装置还包括:
存储装置,配置为存储施加在所述光阀单元的电压与所述光阀单元的光透射率或反射率之间的关系。
10.根据权利要求1所述的曝光方法,还包括:
在获取所述曝光补偿参数之前,先判断不采用所述光阀阵列进行曝光的情况下的曝光图案是否符合预定要求,如果不符合,则再获取所述曝光补偿参数。
11.根据权利要求1所述的曝光方法,其中,由所述目标临界尺寸矩阵atarget与所述临界尺寸的分布矩阵Aij通过以下公式计算得到所述补偿因子矩阵Cij:
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