[发明专利]曝光装置、曝光方法及光刻方法

说明书

一种曝光装置、曝光方法及光刻方法。该曝光装置包括：曝光光源和光路组件，其中，所述光路组件配置为将所述曝光光源发出的光引导至曝光位置，所述光路组件包括光阀阵列，所述曝光光源发出的光可以被引导至所述光阀阵列，且经所述光阀阵列透射或反射之后被引导至所述曝光位置，所述光阀阵列包括多个光阀单元，所述光阀单元的光透射率或反射率能够被调节。该曝光方法利用上述曝光装置，可使最终获得的曝光图案更加接近于目标图案。

技术领域

本公开的实施例涉及一种曝光装置、曝光方法及光刻方法。

背景技术

在半导体器件或显示基板的制备工艺中，通常采用光刻工艺对各个功能层进行构图。光刻工艺的临界尺寸(Critical Dimension，CD)是指光刻工艺所能形成的线条的最小尺寸，利用光刻工艺所形成的图案的临界尺寸的均匀性往往会影响产品的特性，因此是影响产品质量的重要因素。

在光刻工艺中，影响光刻图案均匀性例如临界尺寸均匀性的因素有很多，这些因素大体可分为三大类。第一，光掩膜板上形成的图案的临界尺寸的均匀性，它直接影响目标产品上形成的临界尺寸的均匀性。第二，曝光机本身的均匀性，例如曝光光源、镜头等的均匀性对目标产品上形成的临界尺寸的均匀性有直接的影响。第三，光刻胶的涂覆、显影、刻蚀等工序也对临界尺寸的均匀性有较大的影响。

改善光刻图案均匀性例如临界尺寸均匀性的方法往往只针对上述某一种因素，因此这些方法所能达到的效果有限。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种曝光装置，包括：曝光光源和光路组件，其中，所述光路组件配置为将所述曝光光源发出的光引导至曝光位置，所述光路组件包括光阀阵列，所述曝光光源发出的光可以被引导至所述光阀阵列，且经所述光阀阵列透射或反射之后被引导至所述曝光位置，所述光阀阵列包括多个光阀单元，所述光阀单元的光透射率或反射率能够被调节。

例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述光路组件包括两条光路：不包括所述光阀阵列的第一曝光光路以及包括所述光阀阵列的第二曝光光路。

例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述光路组件还包括第一反射镜和第二反射镜，所述第一反射镜将所述曝光光源发出的光引导至所述光阀阵列，所述第二反射镜将经所述光阀阵列透射或反射之后的光引导至所述曝光位置。

例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述光阀阵列为反射型光阀阵列或透射型光阀阵列。

例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述反射型光阀阵列包括微镜阵列；所述透射型光阀阵列包括电致变色光阀阵列或液晶光阀阵列。

例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置，还包括：控制装置，配置为调节所述光阀单元的光透射率或反射率。

例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述电致变色光阀阵列采用的电致变色材料为WO₃、MoO、Nb₂O₅、V₂O₅、NiO、IrO或MnO。

例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述控制装置配置为通过调节施加在所述光阀阵列的各个光阀单元的电压来调节所述光阀单元的光透射率或反射率。

例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置，还包括：存储装置，配置为存储施加在所述光阀单元的电压与所述光阀单元的光透射率与反射率之间的关系。

本公开至少一实施例提供的一种利用上述任一曝光装置进行曝光的曝光方法，包括：获取曝光补偿参数；根据所述曝光补偿参数，调整所述光阀阵列的反射率或透射率；使用从所述曝光光源发射且经所述光阀阵列调整后的光进行曝光。