[发明专利]一种大功率整流管芯的制造方法

摘要

本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法，包括：铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中，对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中，对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中，对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。采用本发明可缩短三天的工艺时间，节省大量人力物力，降低环境污染，避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。

主权项

1.一种大功率整流管芯的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：铝杂质扩散步骤，对N型晶圆片的阳极面和阴极面进行铝杂质扩散；第一化学腐蚀步骤，对通过所述铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除该晶圆片阴极面的铝杂质并保留该晶圆片阳极面的铝杂质；第一氧化步骤，对通过所述第一化学腐蚀步骤得到的晶圆片的阳极面和阴极面进行氧化；第二化学腐蚀步骤，对通过所述第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除该晶圆片阴极面的氧化层并保留该晶圆片阳极面的氧化层；磷杂质扩散步骤，对通过所述第二化学腐蚀步骤得到的晶圆片的阴极面进行磷杂质扩散，并在所述磷杂质扩散后去除该晶圆片阳极面的氧化层；第二氧化步骤，对通过所述磷杂质扩散步骤得到的晶圆片的阳极面和阴极面进行氧化；第三化学腐蚀步骤，对通过所述第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除该晶圆片阳极面的氧化层并保留该晶圆片阴极面的氧化层；硼杂质扩散步骤，对通过所述第三化学腐蚀步骤得到的晶圆片的阳极面进行硼杂质扩散，并在所述硼杂质扩散后去除该晶圆片阴极面的氧化层，得到大功率整流管芯。