[发明专利]半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。要解决的问题为能够容易地掌握处理室的状态。为解决上述问题，提供一种具有下述工序的技术：预热工序，在处理室中不存在衬底的状态下，对设置于处理室的加热部、和控制处理室的气氛的气氛控制部进行控制，并且对表示处理室的状态的第一处理室数据进行检测；和衬底处理工序，在处理室中存在衬底的状态下，控制加热部和气氛控制部，对衬底进行处理，并且对表示处理室的状态的第二处理室数据进行检测；在衬底处理工序中，将第一处理室数据及第二处理室数据、与预先取得的预热工序中的第一基准数据及衬底处理工序中的第二基准数据一同在显示画面中显示。

主权项

1.半导体器件的制造方法，具有下述工序：预热工序，在处理室中不存在衬底的状态下，对设置于所述处理室的加热部、和控制所述处理室的气氛的气氛控制部进行控制，并且对表示不存在衬底的所述处理室的状态的第一处理室数据进行检测；和衬底处理工序，在所述处理室中存在衬底的状态下，控制所述加热部和所述气氛控制部，对衬底进行处理，并且对表示存在衬底的所述处理室的状态的第二处理室数据进行检测，在所述衬底处理工序中，将所述第一处理室数据及所述第二处理室数据、与预先取得的所述预热工序中的第一基准数据及所述衬底处理工序中的第二基准数据一同在显示画面中显示。