[发明专利]用于阵列波导光栅晶圆生产的上包层生长工艺有效
| 申请号： | 201710761724.1 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107557760B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 黄惠良;岳骁 | 申请（专利权）人： | 上海鸿辉光通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132 |
| 代理公司： | 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 李晓星 |
| 地址： | 201822 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于阵列波导光栅晶圆生产的上包层生长工艺，利用火焰水解沉积设备，采用分步沉积法制作晶圆的上包层；包括以下步骤：a.首先对阵列波导光栅上包层进行一次沉积，采用12个循环覆盖沉积粉末，沉积厚度为8‑10个um；b.然后直接放入退火炉中进行退火，提高退火的升温速度；c.之后，把晶圆从退火炉中取出，对阵列波导光栅上包层再次进行沉积，沉积厚度为8‑10个um；d.将经过两次沉积的晶圆再次放入退火炉中进行退火，最终得到16‑20个um的上包层。上包层沟道填充性好，融化充分，不易发生分解或融化不均的情况。同时，还能达到标准，得到合适的折射率并将TE/TM差值降低到最小。 | ||
| 搜索关键词： | 上包层 沉积 晶圆 退火 退火炉 阵列波导光栅 波导光栅 放入 融化 沉积设备 火焰水解 两次沉积 填充性 折射率 生长 沟道 取出 分解 生产 覆盖 | ||
【主权项】：
1.用于阵列波导光栅晶圆生产的上包层生长工艺，其特征在于，利用火焰水解沉积设备，采用分步沉积法制作晶圆的上包层；包括以下步骤：a.首先对阵列波导光栅上包层进行一次沉积，采用12个循环覆盖沉积粉末，沉积厚度为8‑10个μ m；b.然后直接放入退火炉中进行退火，提高退火的升温速度；c.之后，把晶圆从退火炉中取出，对阵列波导光栅上包层再次进行沉积，沉积厚度为8‑10个μ m；d.将经过两次沉积的晶圆再次放入退火炉中进行退火，最终得到16‑20个μ m的上包层；所述退火的升温速度为10℃/min，最高温度值为1000℃，退火时间为3小时。
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