[发明专利]一种低损伤GaN/AlGaN HEMT栅槽刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710756527.0 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107591326B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 闫未霞 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种低损伤GaN/AlGaN HEMT栅槽刻蚀方法，包括如下内容：在GaN/AlGaN HEMT外延结构上形成刻蚀阻挡层；对所述刻蚀阻挡层进行图形化，露出预设为栅部分的GaN/AlGaN外延结构的表面；将所述露出预设为栅部分的GaN/AlGaN HEMT外延结构的表面置于浸没有HBr与He的刻蚀气体的刻蚀机内，并加以偏置电压，以刻蚀所述预设为栅部分的GaN/AlGaN外延结构的表面到指定深度，形成栅槽结构，进而降低了刻蚀粒子对GaN/AlGaN HEMT的栅槽的影响，降低了栅槽的刻蚀损伤，提高了器件电性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损伤 gan alganhemt 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低损伤GaN/AlGaN HEMT栅槽刻蚀方法，其特征在于，包括如下内容：在GaN/AlGaN HEMT外延结构上形成刻蚀阻挡层；对所述刻蚀阻挡层进行图形化，露出预设为栅部分的GaN/AlGaN外延结构的表面；将所述露出预设为栅部分的GaN/AlGaN HEMT外延结构的表面置于浸没有HBr与He的刻蚀气体的刻蚀机内，并加以偏置电压，以刻蚀所述预设为栅部分的GaN/AlGaN外延结构的表面到指定深度，形成栅槽结构；外延结构的尺寸具体是2‑8寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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