[发明专利]一种减小氮化镓晶体管欧姆接触电阻率的方法

摘要

本发明涉及高电子迁移率晶体管的制备技术领域，公开了一种减小氮化镓晶体管欧姆接触电阻率的方法，包括如下步骤在半导体表面光刻出漏源区域之后，经稀盐酸处理去除表面氧化物；在感应耦合等离子体刻蚀机中采用氩等离子体处理所述漏源区域表面；经过金属蒸发、剥离、退火，形成欧姆接触，其中通过采用氩等离子体处理漏源区域表面，既可以去除表面残留物，达到清洁表面的目的，又可将半导体表面粗糙化，增加欧姆金属与半导体的接触面积，使得高温退火过程中金属与半导体的合金反应可以更加充分，达到降低欧姆接触电阻率的效果。

主权项

一种减小氮化镓晶体管欧姆接触电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体表面光刻出漏源区域之后，经稀盐酸处理去除表面氧化物；在感应耦合等离子体刻蚀机中采用氩等离子体对所述漏源区域表面进行处理；经过金属蒸发、剥离、退火，形成欧姆接触。