[发明专利]一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法有效

专利信息
申请号: 201710749794.5 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN107621599B 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 郭春生;蔡文漪;姜舶洋;罗琳 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 11203 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法,利用IGBT在高温反偏试验中的漏电流与温度的对应关系,对实验中的器件结温进行实时监控的方法。且IGBT漏电流以器件内部MOS部分漏电流为主,在高温反偏试验前需先绘制校温曲线:栅极接地或栅极‑发射极短接,对器件集电极‑发射极加短脉冲电压,在不产生自升温的条件下得到器件漏电流与结温的对应关系,绘制校温曲线图。在高温反偏试验中实时测量器件的漏电流,将漏电流值与校温曲线作比对,可以直接读出器件的结温。
搜索关键词: 一种 测量 igbt 高温 试验 中结温 变化 方法
【主权项】:
1.一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法,在高温反偏试验前需先绘制校温曲线:栅极接地或栅极-发射极短接,对器件集电极-发射极加短脉冲电压,在不产生自升温的条件下得到器件漏电流与结温的对应关系,绘制校温曲线图;在高温反偏试验中实时测量器件的漏电流,将漏电流值与校温曲线作比对,直接读出器件的结温;/n其特征在于:实现该方法的测试系统包括被测IGBT器件(1)和测试电路板(2)、温箱(3)、短脉冲电源(4)、恒压电源(5)和计算机(6);通过测试电路板(2)将被测IGBT器件(1)的栅极接地;测试时,短脉冲电源(4)和恒压电源(5)分别与测试电路板(2)连接,测试电路板(2)为被测IGBT器件(1)提供集电极-发射极电压,采样电阻与被测IGBT器件(1)发射极串联,通过采样电阻两端的电压数据采集器实时采集采样电阻两端电压;温箱(3)用于提供恒温环境;短脉冲电源(4)用于为器件提供与高温反偏试验中电压值相等电压脉冲,测量校温曲线时要求器件不能产生自升温,要求输出电压脉宽小于20μs,占空比小于5%;恒压电源(5)为器件提供高温反偏试验需要的稳定的电压源,即IGBT关断条件下能承受最大正向电压的80%;短脉冲电源(4)和恒压电源(5)以及测试电路板(2)与计算机(6)连接用于控制短脉冲电源,高压电流源,测试电路板(2)中电压采集电路,将校温测试结果拟合成校温曲线,根据校温曲线对应得到高温反偏试验中器件的结温;/n该方法包括以下步骤:/n步骤一,将被测IGBT器件(1)放置在温箱(3)中,接好被测IGBT器件(1)和测试电路板(2)短脉冲电源(4)的连线;/n步骤二,设置温箱(3)温度,待温箱(3)温度稳定一段时间后,该条件下器件温度即为温箱设置温度;用计算机控制短脉冲电源(4)输出脉冲电压,电压值按照高温反偏试验电压要求设置;同时,计算机(6)控制测试电路板(2)在短脉冲电源(4)输出电压时,采样电阻两端电压值,经AD转换器将结果传给计算机(6),计算机(6)利用欧姆定律I=U/R计算,U为采样电阻两端电压值,R为采样电阻阻值,即用采样电阻两端电压值除以采样电阻阻值得到此时器件漏电流值;/n步骤三,按一定的步长升高温箱(3)的温度,待温箱温度稳定后重复步骤二,得到漏电流与温度的关系,利用最小二乘法对数据进行多项式曲线拟合,得到该器件漏电流与结温的校温曲线;/n步骤四,在高温反偏试验中,将恒压电源(5)与测试电路板(2)相连,设置温箱(3)的温度为高温反偏试验要求温度,待温度稳定一段时间后,用计算机(6)控制恒压电源(5)开始高温反偏试验,同时控制测试电路实时采集器件的漏电流并将测试值传给计算机(6),计算机(6)将返回值与校温曲线作对比,对应得到器件结温;/n步骤五,根据测量结果是否符合测试标准调节热沉温度,使高温反偏试验保持在测试标准规定条件下进行。/n
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