[发明专利]将铜球接合于电极的方法以及选择铜球的方法在审
| 申请号： | 201710742046.4 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN107579007A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 服部贵洋;川崎浩由;六本木贵弘;相马大辅;佐藤勇 | 申请（专利权）人： | 千住金属工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/488;C22C9/00;B23K35/30;B23K35/02;B22F1/00;H05K3/34;B22F9/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供将铜球接合于电极的方法以及选择铜球的方法。为了抑制软钎焊时的铜球的润湿不良，规定亮度作为判定球表面的氧化膜的膜厚的指标，且将亮度设为55以上。此外，铜球的球形度较高对于准确地测定亮度较好，而且为了提高球形度而将铜球的纯度设为99.995％以下。亮度为55以上时，形成于铜球的表面的氧化膜的膜厚优选为8nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 将铜球 接合 电极 方法 以及 选择 | ||
【主权项】：
一种将铜球接合于电极的方法，其包括：选择纯度为99.9％以上且99.995％以下、球形度为0.95以上、直径为1～1000μm、亮度为55以上的铜球的工序；以及将所选择的铜球接合于电极的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于千住金属工业株式会社，未经千住金属工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710742046.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
