[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710735341.7 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107785380B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 观田康克;石田有亲;渊正芳 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 显示装置,具有:绝缘基板;具有在绝缘基板的上方设置的第1半导体层,及在第1半导体层的上方设置的第1电极的第1晶体管;在第1半导体层的上方设置的第1绝缘层;第2晶体管,具有在第1绝缘层的上方设置的第2半导体层、在第2半导体层的上方设置的第2电极、及位于第2半导体层与绝缘基板之间且与第2半导体层电连接的导电层,和在第1绝缘层及第2半导体层的上方设置的第2绝缘层,第1半导体层由硅形成,第2半导体层由氧化物半导体形成,第1电极在至少贯通第1绝缘层及第2绝缘层的第1贯通孔中与第1半导体层电连接,第2电极在至少贯通第2绝缘层的第2贯通孔中与导电层接触。显示装置能够使薄膜晶体管的电气特性稳定。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
【主权项】:
一种显示装置,具有:绝缘基板,第1晶体管,所述第1晶体管具有在所述绝缘基板的上方设置的第1半导体层,及在所述第1半导体层的上方设置的第1电极,在所述第1半导体层的上方设置的第1绝缘层,第2晶体管,所述第2晶体管具有在所述第1绝缘层的上方设置的第2半导体层、在所述第2半导体层的上方设置的第2电极、及位于所述第2半导体层与所述绝缘基板之间且与所述第2半导体层电连接的导电层,和第2绝缘层,所述第2绝缘层设置在所述第1绝缘层及所述第2半导体层的上方,其中,所述第1半导体层由硅形成,所述第2半导体层由氧化物半导体形成,所述第1电极在至少贯通所述第1绝缘层及所述第2绝缘层的第1贯通孔中与所述第1半导体层电连接,所述第2电极在至少贯通所述第2绝缘层的第2贯通孔中与所述导电层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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