[发明专利]一种深沟槽的预清洗方法及3DNAND制备工艺在审
| 申请号： | 201710732699.4 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107611007A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 吴俊;吴关平;王家友;程媛;郭海峰;王凯;郭帅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种深沟槽的预清洗方法，包括以下步骤提供具有深沟槽的被处理部件，并将其置于反应腔体中；向所述反应腔体中通入气体，并形成刻蚀等离子体；利用所述刻蚀等离子体对所述被处理部件的所述深沟槽进行等离子刻蚀；等离子刻蚀后维持反应腔体的温度在一定范围内一段时间。本发明通过特殊的等离子刻蚀，有效并且均匀的去除深沟槽底部的自然氧化物(native oxide)和非单硅(amorphous silicon)等杂质，从而获得更好的硅外延生长效果，进而改善多晶硅沟槽的电流导通能力，显著改善存取闪存器器件的性能，并使得产品良率显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深沟 清洗 方法 dnand 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种深沟槽的预清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有深沟槽的被处理部件，并将其置于反应腔体中；向所述反应腔体中通入气体，并形成刻蚀等离子体；利用所述刻蚀等离子体对所述被处理部件的所述深沟槽进行等离子刻蚀；等离子刻蚀后维持反应腔体的温度在一定范围内一段时间。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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