[发明专利]半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201710729426.4 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN108122770B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 卢柏全;黄泰钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造半导体器件的方法包括在半导体鳍和栅极堆叠件上形成间隔件材料，其中，形成间隔件材料进一步包括使用原子层沉积以将第一材料沉积在半导体鳍上并且使用原子层沉积以将第二材料沉积在第一材料上，其中，第二材料与第一材料不同。从半导体鳍去除间隔件材料，其中，去除间隔件材料进一步包括将蚀刻改性剂注入至间隔件材料以形成改性的间隔件材料并且去除改性的间隔件材料。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成半导体鳍；在所述半导体鳍的部分上方形成栅极堆叠件；在所述半导体鳍和所述栅极堆叠件上形成间隔件材料，其中，形成所述间隔件材料还包括：使用原子层沉积以将第一材料沉积在所述半导体鳍上；使用原子层沉积以将第二材料沉积在所述第一材料上，其中，所述第二材料与所述第一材料不同；从所述半导体鳍去除所述间隔件材料，其中，去除所述间隔件材料还包括：将蚀刻改性剂注入至所述间隔件材料以形成改性的间隔件材料；和去除所述改性的间隔件材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710729426.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍式场效晶体管装置的制造方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
