[发明专利]一种基于等离子体浸没注入技术制备黑磷二维材料的方法有效
申请号: | 201710728776.9 | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN107622949B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 江敏;李婉;喻学锋 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01L21/383 | 分类号: | H01L21/383;H01L29/24 |
代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 范盈 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基于等离子体浸没注入技术制备黑磷二维材料的方法,利用等离子体浸没注入系统产生的氢等离子对黑磷晶体材料产生刻蚀作用,从而获取到层数可控的黑磷二维材料;然后再利用乙炔等离子体对黑磷二维材料进行沉积/掺杂处理,提高了黑磷二维材料在常温、空气环境下的稳定性;该方法不仅提高了黑磷二维材料的整体质量,同时也简化制备的工艺,实现从黑磷晶体到稳定黑磷二维材料的一体化制备流程。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 等离子体 浸没 注入 技术 制备 黑磷 二维 材料 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于等离子体浸没注入技术制备黑磷二维材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:通过等离子体浸没注入技术,采用等离子体对黑磷晶体材料进行刻蚀反应,得到层数可控的黑磷二维材料,所述等离子体为氢等离子体或惰性气体等离子体;其中,还包括以下步骤,通过等离子体浸没注入技术对所述黑磷二维材料进行碳元素的沉积或注入;所述碳元素的沉积或注入是乙炔或甲烷通过等离子体发生装置产生乙炔等离子体或甲烷等离子体,作用于黑磷二维材料,使碳元素沉积在黑磷二维材料表面和/或碳元素掺在黑磷二维材料中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进技术研究院,未经深圳先进技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710728776.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种洗瓶机的去臭氧冲洗装置
- 下一篇:果汁装瓶前置洗瓶机的去臭氧冲洗装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造