[发明专利]存储单元、器件、存储单元阵列及其操作方法

摘要

本申请公开了一种存储单元、器件、存储单元阵列及其操作方法，涉及存储器技术领域。存储单元包括：第一二极管、与第一二极管间隔开的第二二极管、底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的数据存储材料层。第一二极管包括：在衬底中的第一阱区；第一N型掺杂区，与第一阱区邻接且连接至位线；以及第一P型掺杂区，与第一阱区邻接且与第一N型掺杂区间隔开。第二二极管包括：在衬底中的第二阱区，与第一阱区的导电类型相同；第二N型掺杂区，与第二阱区邻接；以及第二P型掺杂区，与第二阱区邻接且连接至复位线，并且与第二N型掺杂区间隔开。底电极分别连接至第一P型掺杂区和第二N型掺杂区。顶电极连接至字线。本申请能够增大置位电流和复位电流。

主权项

1.一种存储单元，其特征在于，包括：第一二极管，包括：在衬底中的第一阱区；第一N型掺杂区，与所述第一阱区邻接且连接至位线；以及第一P型掺杂区，与所述第一阱区邻接且与所述第一N型掺杂区间隔开；第二二极管，与所述第一二极管间隔开，包括：在所述衬底中的第二阱区，与所述第一阱区的导电类型相同；第二N型掺杂区，与所述第二阱区邻接；以及第二P型掺杂区，与所述第二阱区邻接且连接至复位线，并且与所述第二N型掺杂区间隔开；底电极，分别连接至所述第一P型掺杂区和所述第二N型掺杂区；顶电极，连接至字线；以及数据存储材料层，位于所述底电极和所述顶电极之间。