[发明专利]一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件

摘要

本发明提供一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源区、高掺杂第一导电类型半导体体接触区、栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅电极和栅氧化层，第二导电类型半导体漂移区的内部上表面还具有阶梯型沟槽，台阶底部和第二导电类型半导体漂移区上表面的距离沿第二导电类型半导体源区到第二导电类型半导体漏极区的方向递减，阶梯型沟槽中填充了多晶硅，本发明通过改变台阶深度来调整电场分布，使漂移区的纵向电场分布更均匀，提高器件的反向阻断电压。

主权项

1.一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件，包括第一导电类型半导体衬底(201)和设置在第一导电类型半导体衬底(201)上表面的第一导电类型半导体体区(203)和第二导电类型半导体漂移区(202)，第一导电类型半导体体区(203)和第二导电类型半导体漂移区(202)侧面接触；所述第一导电类型半导体体区(203)内部上表面具有第二导电类型半导体源区(205)和高掺杂第一导电类型半导体体接触区(204)；所述第二导电类型半导体源区(205)和高掺杂第一导电类型半导体体接触区(204)与位于其上表面的源极(207)直接接触；所述第一导电类型半导体体区(203)的上表面具有栅极结构，所述栅极结构包括多晶硅栅电极(209)和栅氧化层(210)，所述多晶硅栅电极(209)与第二导电类型半导体源区(205)、第一导电类型半导体体区(203)和第二导电类型半导体漂移区(202)通过栅氧化层(210)相隔离；所述多晶硅栅电极(209)与源极(207)通过第一介质层(211)相互隔离；所述第二导电类型半导体漂移区(202)的内部上表面远离第一导电类型半导体体区(203)的一侧具有第二导电类型半导体漏极区(206)，所述第二导电类型半导体漏极区(206)与位于其上表面的漏极(208)直接接触，其特征在于：所述第二导电类型半导体漂移区(202)的内部上表面还具有阶梯型沟槽(214)，所述阶梯型沟槽(214)位于第一导电类型半导体体区(203)和第二导电类型半导体漏极区(206)之间且与第一导电类型半导体体区(203)和第二导电类型半导体漏极区(206)均不接触；所述阶梯型沟槽(214)的台阶数大于等于2；台阶底部和第二导电类型半导体漂移区(202)上表面的距离沿第二导电类型半导体源区(205)到第二导电类型半导体漏极区(206)的方向递减，所述阶梯型沟槽(214)中填充了多晶硅(212)，所述多晶硅(212)与第二导电类型半导体漂移区(202)之间通过第二介质层(213)相隔离；所述多晶硅(212)的顶部与源极(207)通过第一介质层(211)上的接触孔相连。/n