[发明专利]一种具有新型窗口层的高效三结级联砷化镓太阳电池及制造方法有效
申请号: | 201710725099.5 | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN107706247B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 张银桥;潘彬 | 申请(专利权)人: | 南昌凯迅光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人: | 陈梅 |
地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有新型窗口层的高效三结级联砷化镓太阳电池,包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、顶电池和窗口层。本发明公开了该具有新型窗口层的高效三结级联砷化镓太阳电池的制作方法。本发明采用具有粗化结构的ITO材料作为砷化镓太阳电池顶电池的窗口层。由于ITO的禁带宽度大于AlInP,可以降低窗口层对入射太阳光的吸收;同时对ITO材料进行粗化,可以有效提高太阳光的入射,并且由于ITO具有良好的导电性,可以去除传统的导电栅线,避免金属栅线带来的遮光问题,提高顶电池的电流密度,提高整个太阳电池的转换效率。综上,通过采用具有粗化结构的ITO材料作为砷化镓太阳电池顶电池的窗口层,可以增强太阳光的入射,减少太阳电池表面的遮挡,进而获得高效的太阳电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 新型 窗口 高效 级联 砷化镓 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有新型窗口层的高效三结级联砷化镓太阳电池,其特征在于,包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、顶电池和窗口层;所述底电池、中电池和顶电池为三结子电池,由下至上依次排列;所述底电池与中电池之间通过第一隧穿结连接;所述中电池与所述顶电池之间通过第二隧穿结连接;所述底电池下层还设有P型接触层,所述P型接触层为P型Ge衬底;所述顶电池的上层还设有窗口层,所述窗口层为采用ITO材料的ITO窗口层,通过磁控溅射或者电子束蒸发的方式在顶电池上层生成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的