[发明专利]一种铜/石墨烯复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710718421.1 申请日: 2017-08-21
公开(公告)号: CN107697906B 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 张柯;宋瑞利;刘平;李伟;陈小红;马凤仓;何代华;刘新宽 申请(专利权)人: 上海理工大学
主分类号: C01B32/186 分类号: C01B32/186;C01B32/194;B32B37/02;C23C16/01;C23C16/26;C23C14/16;C23C14/35;C23C28/00
代理公司: 31001 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 吴宝根
地址: 200093 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种铜/石墨烯复合材料的制备方法。首先,采用化学气相沉积法在清洗、抛光后的压延铜箔上制备石墨烯薄膜,利用磁控溅射镀膜仪在SiO
搜索关键词: 铜膜 石墨烯薄膜 制备 化学气相沉积 石墨烯 样品表面 石墨烯复合材料 磁控溅射镀膜 复合材料表面 夹层复合材料 磁控溅射 压延铜箔 抛光 层厚度 铜薄膜 基底 溅射 三层 清洗 腐蚀 应用
【主权项】:
1.一种铜/石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:/n步骤一:依次用丙酮,乙醇,去离子水超声清洗压延铜箔,然后用体积分数为15~25%的盐酸超声清洗所述的压延铜箔,最后再用乙醇超声清洗铜箔;/n步骤二:包括一个电化学抛光的步骤,将步骤一处理后的铜箔进行抛光;/n步骤三:包括一个采用化学气相沉积法在铜箔表面制备石墨烯薄膜的步骤,将处理过的压延铜箔放至管式炉的中央区,按下面的条件完成生长:在H
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